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    產品中心
    • OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL是一款雙溫區的PE-CVD管式爐系統,組成部分為500W的射頻發生器、滑動速度可控的雙溫區滑軌爐,預熱爐(作用為使固體原料蒸發)和德國進口的無油泵。此款PE-CVD對于生長納米線或用CVD,方法來制作各種薄膜是一款新的探索工具。
    • GSL-1700X-F3LV是一款CE認證的管式爐CVD系統,其真空泵采用雙旋片式,混氣系統采用三路浮子供氣系統,*高溫度可以達到1700°C,真空度可達到5x10-2 torr ,可以混合1-3種氣體。
    • 三溫區三通道混氣CVD系統是一款通過CE認證的三溫區管式爐CVD系統,其爐管直徑為60mm,其真空泵采用雙旋機械泵,混氣系統為3路浮子混氣系統。此高溫爐燒結溫度可達1700℃,真空度可達到5x10-2 torr ,可以混合1-3種氣體。
    • 九通道混氣高真空CVD系統GSL-1700X-80-HVC9 is CE certified 80mm diameter alumina tube furnace with vacuum pump system (up to 10-5 torr) and 9 channel precision digital Mass flow-meters, which can control nine types of gases f
    • GSL-1700X-4-HVC是一款CE認證的二通道高真空CVD系統,其爐管直徑為4英寸,它是由二路質子混氣系統和高真空機組組成,其*高工作溫度可達1600℃,極限真空度可達 to 10^-5 torr?;鞖庀到y可以對兩種氣體進行**的混氣,然后導入到管式爐內部。
    • RTP-1000D4HV is a compact rapid thermal processing tube (4" I.D.) furnace with Compact Turbomolecular Vacuum Pump Station and KF-D25 vacuum flange. It is designed for annealing semiconductor wafer or
    • 該系統由開啟式真空管式爐、多路氣體混合系統、高真空系統(機械泵+分子泵)組成。主要用于電子陶瓷產品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積(CVD)工藝等。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000的環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符合含采購商OHSMS18000職業安全健康管理體系標準的要求,不會對接觸產品的人員健康造成傷害
    • 脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被稱為脈沖激光燒蝕(pulsed laserablation,PLA),是一種利用激光對物體進行轟擊,然后將轟擊出來的物質沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。我公司依據實驗要求設計制作該款設備以適應各類薄膜研究的需要。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000的環境體系要
    • This is a super-miniture PECVD furncce with 3" diameter x 16" L glass chamber and complete acessories for the research of various film deposition. The sample zone of plasma furnace can be heated to 25
    • OTF-1200X-4-C4LVS is a special dual tube CVD system designed for growing thin film on the metal foil, especially for preparing flexible electrode on metallic foil for new generation energy research.
    • OTF-1200X-4-RTP3CHV, the whole system includes one compact RTP 4" tube furnace, one 4L/min water chiller and a mobile station with three channels gas flow control (MFC) and high vacuum station (molecu
    • EQ-RTP1000-LV3C is 4" I.D RTP (rapid thermal processing) tube furnace with three flowmeters and one machanical pump up to 10-3 torr vacuum. It is designed for annealing semiconductor wafer & solar cel
    • GSL-1600X-80-HV is a CE certified high temperature alumina tube furnace with high vacuum system. It can be heat up to 1600oC by MoSi2 heating element and achieve vacuum pressure up to 10 -5 torr with
    • GSL-1600X-4-F3LV is a CE certified 4" alumina tube furnace with mechanical vacuum pump and three channels gas flowing system, which can achieve vacuum degree up to 5x10-2 torr and mix 1- 3 type of g
    • 為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD) 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系的要求),不會造成環境污染; 該產品符合含采購商OHSMS18000職業安全健康管理體系標準的要求,不會對接觸產品的人員健康造成傷害!
    • OTF-1200X-4-III-9HV is CE certifed 4" diameter split three zone tube furnace with vacuum pump system (up to 10-5 torr) and 9 channel precision digital Mass flow-meters, which can control nine types of OTF-1200X-4-III-9HV是一款CE認證的九通道高真空三溫區CVD系統,齊爐管直徑為4英寸,它是由九通道質量流量控制器和高真空機組組成,其*高溫度可達1200℃,極限真空可達to 10^-5 torr,混氣系統可以對1-9種氣體進行精-確的混氣,然后導入到管式爐內部,用來研究氣體環境對材料的影響。
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